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m面蓝宝石上外延半极性GaN研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  羊建坤
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu, Qiang;  Wei, Tongbo;  Duan, Ruifei;  Yang, Jiankun;  Huo, Ziqiang;  Zeng, Yiping;  Xu, Shu;  Hu, Q.([email protected])
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu QA;  Wei TB;  Duan RF;  Yang JK;  Huo ZQ;  Lu TC;  Zeng YP;  Hu, QA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡强;  魏同波;  段瑞飞;  羊建坤;  霍自强;  卢铁城;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu Q;  Wei TB;  Duan RF;  Yang JK;  Huo ZQ;  Lu TC;  Zeng YP;  Hu Q Sichuan Univ Minist Educ Dept Phys Chengdu 610064 Peoples R China. E-mail Address: [email protected];  [email protected]
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一种化学气相沉积装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010162506.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  段瑞飞;  曾一平;  王军喜;  冉军学;  胡国新;  羊建坤;  梁勇;  路红喜;  李晋闽
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制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235336.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  胡强;  段瑞飞;  魏同波;  杨建坤;  霍自强;  曾一平
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在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235335.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  胡强;  段瑞飞;  魏同波;  杨建坤;  霍自强;  曾一平
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制备GaN厚膜垂直结构LED的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13
发明人:  羊建坤;  魏同波;  胡强;  霍自强;  段瑞飞;  王军喜
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生长半极性GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人:  羊建坤;  魏同波;  霍自强;  张勇辉;  胡强;  段瑞飞;  王军喜
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