| 一种化学气相沉积装置 |
| 段瑞飞 ; 曾一平; 王军喜; 冉军学; 胡国新; 羊建坤; 梁勇; 路红喜; 李晋闽
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种化学气相沉积装置，该装置包括多个独立的生长室，该多个独立的生长室位于一箱体之内，使用机械臂进行样品的传递，分别用于n型层外延材料的生长、多量子阱有源层的生长，以及p型层外延材料等不同生长工艺的材料生长。利用本发明，解决了现有化学气相沉积尤其是MOCVD装置单反应室一次生长结构材料导致的化学气相沉积装置复杂、沉积工艺复杂，受到影响因素较多，工艺可重复性差，可推广性差，同时工艺周期长，生产效率低下等问题。 |
| 部门归属 | 半导体材料科学中心
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| 专利号 | CN201010162506.4
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010162506.4
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22299
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| 专题 | 半导体材料科学中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
段瑞飞,曾一平,王军喜,等. 一种化学气相沉积装置. CN201010162506.4.
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