| 制备GaN厚膜垂直结构LED的方法 | |
| 羊建坤; 魏同波; 胡强; 霍自强; 段瑞飞; 王军喜 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2013-03-13 ; 2013-03-13 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体器件 |
| 申请日期 | 2012-11-30 |
| 申请号 | CN201210505214.5 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25189 |
| 专题 | 中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 羊建坤,魏同波,胡强,等. 制备GaN厚膜垂直结构LED的方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 制备GaN厚膜垂直结构LED的方法.pd（403KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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