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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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2000 [2]
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期刊论文
作者:
Yang Z
;
Sou IK
;
Chen YH
;
Yang Z,Hong Kong Univ Sci & Technol,Adv Mat Res Inst,Clearwater Bay,Kowloon,Hong Kong,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
Anisotropic strain in (100) ZnSe epilayers grown on lattice mismatched substrates
会议论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 18 (4), SALT LAKE CITY, UTAH, JAN 16-20, 2000
作者:
Yang Z
;
Sou IK
;
Chen YH
;
Yang Z Hong Kong Univ Sci & Technol Adv Mat Res Inst Clearwater Bay Kowloon Hong Kong Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Reflectance Difference Spectroscopy
Znse/gaas Interface
States
Gaas
Optical anisotropy of InAs submonolayer quantum wells in a (311) GaAs matrix
会议论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 123, CARDIFF, WALES, JUN 23-27, 1997
作者:
Chen YH
;
Yang Z
;
Wang ZG
;
Xu B
;
Liang JB
;
Qian JJ
;
Chen YH Hong Kong Univ Sci & Technol Dept Phys Clear Water Bay Kowloon Hong Kong.
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提交时间:2010/11/15
Znse/gaas Interface
States
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen YH
;
Yang Z
;
Wang ZG
;
Xu B
;
Liang JB
;
Qian JJ
;
Chen YH,Hong Kong Univ Sci & Technol,Dept Phys,Clear Water Bay,Kowloon,Hong Kong.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen YH
;
Yang Z
;
Bo XU
;
Wang ZG
;
Liang JB
;
Chen YH,Hong Kong Univ Sci & Technol,Dept Phys,Clear Water Bay,Kowloon,Hong Kong.
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提交时间:2010/08/12