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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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会议论文 [6]
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1999 [2]
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Tunneling magnetoresistance in (Ga,Mn)As/Al-O/CoFeB hybrid structures
会议论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Austin, TX, NOV 11-14, 2008
作者:
Du GX
;
Babu MR
;
Han XF
;
Deng JJ
;
Wang WZ
;
Zhao JH
;
Wang WD
;
Tang JK
;
Han, XF, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, State Key Lab Magnetism, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Spin Injection
Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots
会议论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
作者:
Chen J
;
Fan WJ
;
Xu Q
;
Zhang XW
;
Li SS
;
Xia JB
;
Chen, J, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore.
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提交时间:2010/03/09
Emission
Solid-state qubit measurement with single electron transistors
会议论文
SOLID-STATE QUANTUM COMPUTING, Taipei, TAIWAN, JUN 23-27, 2008
作者:
Jiao, HJ
;
Li, F
;
Wang, SK
;
Li, XQ
;
Jiao, HJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(714Kb)
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浏览/下载:1975/418
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提交时间:2010/03/09
Solid-state Qubit
Single-electron-transistor
Quantum Measurement
Number-resolved Master Equation
Anisotropic strain in (100) ZnSe epilayers grown on lattice mismatched substrates
会议论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 18 (4), SALT LAKE CITY, UTAH, JAN 16-20, 2000
作者:
Yang Z
;
Sou IK
;
Chen YH
;
Yang Z Hong Kong Univ Sci & Technol Adv Mat Res Inst Clearwater Bay Kowloon Hong Kong Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Reflectance Difference Spectroscopy
Znse/gaas Interface
States
Gaas
Effect of rapid thermal annealing on the Raman spectrum of Si0.33Ge0.67/Si (100) alloy
会议论文
NONDESTRUCTIVE CHARACTERIZATION OF MATERIALS IX, 497, SYDNEY, AUSTRALIA, JUN 28-JUL 02, 1999
作者:
Liu JP
;
Kong MY
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Liu JP Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Strain-shift Coefficients
Si1-xgex
Silicon
Phonons
Stoichiometry in GaAs grown in outer space measured nondestructively
会议论文
NONDESTRUCTIVE CHARACTERIZATION OF MATERIALS IX, 497, SYDNEY, AUSTRALIA, JUN 28-JUL 02, 1999
作者:
Chen NF
;
Zhong XG
;
Lin LY
;
Chen NF Chinese Acad Sci Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Semiinsulating Gallium-arsenide
Crystals
Defects