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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu, WR;  Zhao, JF;  Long, M;  Zhang, XW;  Liu, QS;  Hou, MY;  Kang, Q;  Wang, YR;  Xu, SH;  Kong, WJ;  Zhang, H;  Wang, SF;  Sun, YQ;  Hang, HY;  Huang, YP;  Cai, WM;  Zhao, Y;  Dai, JW;  Zheng, HQ;  Duan, EK;  Wang, JF
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW;  Dong ZY;  Duan ML;  Sun WR;  Yang ZX;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: [email protected]
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Growth of high quality semi-insulating InP single crystal by suppression of compensation defects 会议论文
JOURNAL OF RARE EARTHS, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Duan, ML;  Sun, WR;  Yang, ZX;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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Indium Phosphide  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  董志远;  李成基;  段满龙;  孙文荣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  孙文荣;  段满龙;  董志远;  杨子祥;  吕旭如;  王应利
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  董志远;  孙文荣;  段满龙;  杨子祥;  吕旭如
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Annealing ambient controlled deep defect formation in InP 会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:  Zhao YW;  Dong ZY;  Duan ML;  Sun WR;  Zeng YP;  Sun NF;  Sun TN;  Zhao YW Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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Fe-doped Inp  Semiinsulating Inp  Point-defects  Pressure  Wafers  Traps  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Duan, ML;  Sun, WR;  Zeng, YP;  Sun, NF;  Sun, TN;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong ZY;  Zhao YW;  Zeng YP;  Duan ML;  Sun WR;  Jiao JH;  Lin LY;  Dong ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  段满龙;  孙文荣;  杨子祥;  焦景华;  赵建群;  曹慧梅;  吕旭如
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