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中国科学院半导体研究所机构知识库
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期刊论文
作者:
Sun GS
;
Liu XF
;
Wu HL
;
Yan GG
;
Dong L
;
Zheng L
;
Zhao WS
;
Wang L
;
Zeng YP
;
Li XG
;
Wang ZG
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
[email protected]
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提交时间:2011/07/05
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1913/274
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提交时间:2010/03/09
In-situ Doping
Boron
Aluminum
Memory Effects
Hot-wall Lpcvd
4h-sic
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
Buffer Layer
Lpcvd
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou, W
;
Yang, JL
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Yang, FH
;
Li, JM
;
Zhou, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang BL
;
Cai FF
;
Sun GS
;
Fan HB
;
Zhang PF
;
Wei HY
;
Liu XL
;
Yang SY
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Zhang, BL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
;
[email protected]
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浏览/下载:1309/412
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fan, HB
;
Sun, GS
;
Yang, SY
;
Zhang, PF
;
Zhang, RQ
;
Wei, HY
;
Jiao, CM
;
Liu, XL
;
Chen, YH
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
;
Fan, HB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
;
[email protected]
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浏览/下载:1440/490
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Ning, J
;
Liu, XF
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/08
High epitaxial growth rate of 4H-SiC using TCS as silicon precursor
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Ji, G
;
Sun, GS
;
Ning, J
;
Liu, XF
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Ji, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1557/225
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提交时间:2010/03/09
Simulation and fabrication of the SiC-based clamped-clamped filter
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Zhao, YM
;
Ning, J
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Wang, L
;
Ji, G
;
Zhao, WS
;
Li, JM
;
Yang, FH
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Labs Transducer Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1613/274
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提交时间:2010/03/09
Micromechanical Resonators
Frequency
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang BL
;
Sun GS
;
Guo Y
;
Zhang PF
;
Zhang RQ
;
Fan HB
;
Liu XL
;
Yang SY
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Zhang BL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address:
[email protected]
;
[email protected]
;
[email protected]
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提交时间:2010/03/08