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中国科学院半导体研究所机构知识库
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中国科学院半导体研究... [4]
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1998 [4]
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期刊论文
作者:
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
;
Zou LF,Ctr Invest Opt AC,Unidad Aguascalientes,Juan Montoro 207,Zona Ctr,Aguascalientes 20000,Ags,Mexico.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
;
Zou LF,Ctr Invest Opt AC,Unidad Aguascalientes,Juan Montoro 207,Zona Ctr,Aguascalientes 20000,Ags,Mexico. 电子邮箱地址:
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提交时间:2010/08/12
Gas source molecular beam epitaxy and thermal stability of Si1-xGex/Si superlattice materials
会议论文
REVISTA MEXICANA DE FISICA, 44, OAXACA, MEXICO, JAN 11-16, 1998
作者:
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
;
Zou LF Ctr Invest Opt AC Unidad Aguascalientes Juan Montoro 207Zona Ctr Aguascalientes 20000 Ags Mexico. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/11/15
Strain Relaxation
Heterostructures
Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001)
会议论文
REVISTA MEXICANA DE FISICA, 44, OAXACA, MEXICO, JAN 11-16, 1998
作者:
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
;
Zou LF Ctr Invest Opt AC Unidad Aguascalientes Juan Montoro 207Zona Ctr Aguascalientes 20000 Ags Mexico.
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提交时间:2010/11/15
Electrical-properties
Ion-implantation
Regrowth
Silicon
Layers