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二维纳米结构深刻蚀方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马小涛;  郑婉华;  杨国华;  任刚;  陈良惠
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光子晶体激光器与光子晶体波导耦合输出方法及输出器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑婉华;  马小涛;  任刚;  蔡向华
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一种光子晶体激光耦合输出器 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2007-03-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马小涛;  郑婉华;  任刚;  蔡向华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma XT (Ma Xiao-Tao);  Zheng WH (Zheng Wan-Hua);  Ren G (Ren Gang);  Fan ZC (Fan Zhong-Chao);  Chen CH (Chen Chang-Hui);  Zheng, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马小涛;  郑婉华;  任刚;  樊中朝;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng WH;  Ren G;  Ma XT;  Cai XH;  Chen LH;  Nozaki K;  Baba T;  Zheng, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nano Optoelect Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma XT (Ma Xiao-Tao);  Zheng WH (Zheng Wan-Hua);  Ren G (Ren Gang);  Chen LH (Chen Liang-Hui);  Ma, XT, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: [email protected]
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Dipole mode photonic crystal point defect laser on InGaAsP/InP 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:  Zheng WH;  Ren G;  Ma XT;  Cai XH;  Chen LH;  Nozaki K;  Baba T;  Zheng, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nano Optoelect Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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Dipole Mode  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cai XH;  Zheng WH;  Ma XT;  Ren G;  Xia JB;  Cai, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:986/403  |  提交时间:2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cai XH;  Zheng WH;  Ma XT;  Ren G;  Xia JB;  Cai, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
Adobe PDF(1108Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:721/194  |  提交时间:2010/03/17