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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Yin, J
;
Li, Y
;
Chen, SC
;
Li, J
;
Kang, JY
;
Li, W
;
Jin, P
;
Chen, YH
;
Wu, ZH
;
Dai, JN
;
Fang, YY
;
Chen, CQ
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提交时间:2015/08/21
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen P
;
Zuo YH
;
Tu XG
;
Cai DJ
;
Li SP
;
Kang JY
;
Yu YD
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/08
Pockels effect in GaN/Al-x,Gal(1-x)N superlattice with different quantum structures - art. no. 69841G
会议论文
THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS,SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, SEP 25-28, 2007
作者:
Chen P
;
Lib SP
;
Tu XG
;
Zuo YH
;
Zhao L
;
Chen SW
;
Li JC
;
Lin W
;
Chen HY
;
Liu DY
;
Kang JY
;
Yu YD
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1925/355
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提交时间:2010/03/09
Pockels Effect
无权访问的条目
期刊论文
作者:
张永
;
李成
;
赖虹凯
;
陈松岩
;
康俊勇
;
成步文
;
王启明
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浏览/下载:1085/331
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen P
;
Tu XG
;
Li SP
;
Li JC
;
Lin W
;
Chen HY
;
Liu DY
;
Kang JY
;
Zuo YH
;
Zhao L
;
Chen SW
;
Yu YD
;
Yu, JZ
;
Wang QM
;
Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li SP (Li Shuping)
;
Fang ZL (Fang Zhilai)
;
Chen HY (Chen Hangyang)
;
Li JC (Li Jinchai)
;
Chen XH (Chen Xiaohong)
;
Yuan XL (Yuan Xiaoli)
;
Sekiguchi T (Sekiguchi Takashi)
;
Wang QM (Wang Qiming)
;
Kang JY (Kang Junyong)
;
Kang, JY, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China. E-mail:
[email protected]
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提交时间:2010/04/11
Defect influence on luminescence efficiency of GaN-based LEDs
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Li SP (Li Shuping)
;
Fang ZL (Fang Zhilai)
;
Chen HY (Chen Hangyang)
;
Li JC (Li Jinchai)
;
Chen XH (Chen Xiaohong)
;
Yuan XL (Yuan Xiaoli)
;
Sekiguchi T (Sekiguchi Takashi)
;
Wang QM (Wang Qiming)
;
Kang JY (Kang Junyong)
;
Kang, JY, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/29
Defects
Effects of residual C and O impurities on photoluminescence in undoped GaN epilayers
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:
Kang JY
;
Shen YW
;
Wang ZG
;
Kang JY Xiamen Univ Dept Phys Xiamen 361005 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Defects
Gan
Photoluminescence
Electronic Structures
Yellow Luminescence
Epitaxial-films
Mg
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Kang JY
;
Shen YW
;
Wang ZG
;
Kang JY,Xiamen Univ,Dept Phys,Xiamen 361005,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Kang JY
;
Huang QS
;
Wang ZG
;
Kang JY,Xiamen Univ,Dept Phys,Xiamen 361005,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12