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InP基平面型背入射雪崩光电二极管及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-07, 公开日期: 4009
发明人:  吴孟
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一种近红外单光子探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人:  曹延名;  吴 孟;  杨富华
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用于红外单光子探测的InP基盖革雪崩光电二极管的设计与工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  吴孟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  曹延名;  吴孟;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王绍青;  褚一鸣;  孟祥敏;  吴玉昆;  叶恒强
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一种表征聚合物太阳能电池光敏层相分离程度的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23
发明人:  孟军华;  张兴旺;  高红丽;  尹志岗;  吴金良
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基于石墨烯-金属纳米颗粒复合材料的太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  刘鑫;  张兴旺;  尹志岗;  张留旗;  孟军华;  吴金良
Adobe PDF(285Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：699/1  |  提交时间：2016/08/30