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硅基 I-V族材料外延及界面缺陷研究 | |
程焜 | |
学位类型 | 硕士 |
2024-05 | |
学位授予单位 | 中国科学院大学 |
学位授予地点 | 中国科学院半导体研究所 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2024-06 |
文献类型 | 学位论文 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/31780 |
专题 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 程焜. 硅基 I-V族材料外延及界面缺陷研究[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学,2024. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
GK2024131-硅基 I-V族材料外(7883KB) | 学位论文 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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