SEMI OpenIR  > 半导体集成技术工程研究中心
频率可调的MEMS谐振器
骆伟; 赵晖; 袁泉; 杨晋玲; 杨富华
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-10-02
授权国家中国
专利类型发明
学科领域微电子学
申请日期2013-07-22
申请号CN201310306960.6
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25827
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
骆伟,赵晖,袁泉,等. 频率可调的MEMS谐振器.
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频率可调的MEMS谐振器.pdf(907KB) 限制开放使用许可请求全文
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