| 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法; 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法 |
| 詹腾; 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕 ; 王国宏
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法,包括：步骤1：选择一外延结构,该外延结构包括衬底和氮化镓LED外延层；步骤2：在外延层上沉积SiO2层；步骤3：运用光刻技术,通过匀胶,前烘,曝光,坚膜,在SiO2层上形成光刻胶图形,该光刻胶图形覆盖SiO2层表面周边的部分面积；步骤4：腐蚀未被光刻胶图形掩盖的SiO2层,露出外延层；步骤5：剥离去掉光刻胶图形位置的光刻胶；步骤6：在腐蚀掉SiO2层位置的外延层上,蒸镀ITO层；步骤7：在未被腐蚀的SiO2层的表面相对的两边,蒸发接触金属电极,完成二极管隐形电极的制作。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN102208502A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110152869.4
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23508
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
詹腾,汪炼成,郭恩卿,等. 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法, 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法. CN102208502A.
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