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锑化物异质结半导体材料生长与光电性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  汤宝
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐应强;  汤宝;  王国伟;  任正伟;  牛智川
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GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人:  汤宝;  周志强;  郝瑞亭;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang B;  Xu YQ;  Zhou ZQ;  Hao RT;  Wang GW;  Ren ZW;  Niu ZC;  Xu YQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
Adobe PDF(414Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1247/374  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou ZQ;  Xu YQ;  Hao RT;  Tang B;  Ren ZW;  Niu ZC;  Zhou ZQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
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HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010123021.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张宇;  王国伟;  汤宝;  任正伟;  徐应强;  牛智川;  陈良惠
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