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中国科学院半导体研究所机构知识库
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作者:韩修训
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一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
吴洁君
;
韩修训
;
李杰民
;
黎大兵
;
陆沅
;
王晓晖
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提交时间:2009/06/11
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期刊论文
作者:
Cong GW
;
Peng WQ
;
Wei HY
;
Han XX
;
Wu JJ
;
Liu XL
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Lu JG
;
Ye ZZ
;
Zhu LP
;
Qian HJ
;
Su R
;
Hong CH
;
Zhong J
;
Ibrahim K
;
Hu TD
;
Cong, GW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail:
[email protected]
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cong GW
;
Peng WQ
;
Wei HY
;
Liu XL
;
Wu JJ
;
Han XX
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Ye ZZ
;
Lu JG
;
Zhu LP
;
Qian HJ
;
Su R
;
Hong CH
;
Zhong J
;
Ibrahim K
;
Hu TD
;
Cong, GW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail:
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提交时间:2010/04/11
自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
吴洁君
;
黎大兵
;
陆沅
;
韩修训
;
李杰民
;
王晓辉
;
刘祥林
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
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期刊论文
作者:
Wu JJ
;
Han XX
;
Li JM
;
Li DB
;
Lu Y
;
Wei HY
;
Cong GW
;
Liu XL
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Wu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/17
Ⅲ族氮化物低维结构的生长及物性研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:
韩修训
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提交时间:2009/04/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li JM
;
Wu JJ
;
Han XX
;
Lu YW
;
Lin XL
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Li, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail:
[email protected]
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
吴洁君
;
韩修训
;
李杰民
;
黎大兵
;
魏宏远
;
康亭亭
;
王晓晖
;
刘祥林
;
王占国
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
Han XX
;
Chen Z
;
Li DB
;
Wu JJ
;
Li JM
;
Sun XH
;
Liu XL
;
Han PD
;
Wang XH
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Han, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu Y
;
Liu XL
;
Wang XH
;
Lu DC
;
Li DB
;
Han XX
;
Cong GW
;
Wang ZG
;
Lu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/09