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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 贠利君 ; 魏同波; 刘乃鑫; 闫建昌; 王军喜; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei TB; Kong QF; Wang JX; Li J; Zeng YP; Wang GH; Li JM; Liao YX; Yi FT; Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. [email protected]
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu QA; Wei TB; Duan RF; Yang JK; Huo ZQ; Lu TC; Zeng YP; Hu, QA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. [email protected]
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡强; 魏同波; 段瑞飞; 羊建坤; 霍自强; 卢铁城; 曾一平
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| 一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-02, 公开日期: 4005
发明人: 魏同波
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu Q; Wei TB; Duan RF; Yang JK; Huo ZQ; Lu TC; Zeng YP; Hu Q Sichuan Univ Minist Educ Dept Phys Chengdu 610064 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]; [email protected]
Adobe PDF(1214Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1322/305 | 提交时间：2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei TB; Hu Q; Duan RF; Wang JX; Zeng YP; Li JM; Yang Y; Liu YL; Wei TB Chinese Acad Sci Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei TB; Hu Q; Duan RF; Wei XC; Huo ZQ; Wang JX; Zeng YP; Wang GH; Li JM; Wei TB Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
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| 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段瑞飞; 刘喆; 钟兴儒; 魏同波; 马平; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei TB; Duan RF; Wang JX; Li JM; Huo ZQ; Zeng YP; Wei TB Chinese Acad Sci Inst Semicond Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
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