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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding K;  Zeng YP;  Duan RF;  Wei XC;  Wang JX;  Ma P;  Lu HX;  Cong PP;  Li JM;  Ding K Chinese Acad Sci Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB;  Hu Q;  Duan RF;  Wei XC;  Huo ZQ;  Wang JX;  Zeng YP;  Wang GH;  Li JM;  Wei TB Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
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闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵有文;  董志远;  段满龙;  魏学成
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  董志远;  赵有文;  魏学成;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  魏学成;  赵有文;  董志远;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou JM;  Dong ZY;  Wei XC;  Duan ML;  Li JM;  Zhou, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  董志远;  魏学成;  段满龙;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  董志远;  魏学成;  段满龙;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  魏学成;  赵有文;  董志远;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  董志远;  魏学成;  段满龙;  李晋闽
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