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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JM;  Liu XL;  Li CM;  Wei HY;  Guo Y;  Jiao CM;  Li ZW;  Xu XQ;  Song HP;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Yang AL;  Yang TY;  Wang HH;  Liu, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. [email protected];  [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi K;  Yang AL;  Wang J;  Song HP;  Xu XQ;  Sang L;  Wei HY;  Yang SY;  Liu XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Shi, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. [email protected];  [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi K;  Li DB;  Song HP;  Guo Y;  Wang J;  Xu XQ;  Liu JM;  Yang AL;  Wei HY;  Zhang B;  Yang SY;  Liu XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Shi, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. [email protected];  [email protected];  [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu XQ;  Guo Y;  Liu XL;  Liu JM;  Song HP;  Zhang BA;  Wang J;  Yang SY;  Wei HY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Xu, XQ, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. [email protected];  [email protected];  [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang J;  Liu XL;  Yang AL;  Zheng GL;  Yang SY;  Wei HY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Liu, XL, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. [email protected];  [email protected]
Adobe PDF(659Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1523/500  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo Y;  Liu XL;  Song HP;  Yang AL;  Xu XQ;  Zheng GL;  Wei HY;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Guo, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Tingshua E Rd 35,POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.E-mail Address: [email protected];  [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang AL;  Song HP;  Liang DC;  Wei HY;  Liu XL;  Jin P;  Qin XB;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Yang, AL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected];  [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng GL;  Yang AL;  Wei HY;  Liu XL;  Song HP;  Guo;  Y;  Jia CH;  Jiao CM;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Zheng, GL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: [email protected];  [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王振华;  杨安丽;  刘祥林;  魏鸿源;  焦春美;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
发明人:  范海波;  杨少延;  张攀峰;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  陈涌海;  王占国 
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