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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ding K ; Zeng YP; Li YY; Cui LJ; Wang JX; Lu HX; Cong PP; Ding, K, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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| InGaN基发光二极管的反常特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 丁凯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ji Xiaoli; Yang Fuhua; Wang Junxi; Duan Ruifei; Ding Kai; Zeng Yiping; Wang Guohong; Li Jinmin
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ding K; Zeng YP; Duan RF; Wei XC; Wang JX; Ma P; Lu HX; Cong PP; Li JM; Ding K Chinese Acad Sci Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
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| 利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010119349.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张连; 丁凯; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽
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| 利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128387.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 丁凯; 张连; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽
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