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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei TB; Yang JK; Hu Q; Duan RF ; Huo ZQ; Wang JX; Zeng YP; Wang GH; Li JM; Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. [email protected]
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| 金属有机物化学气相沉积装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12
发明人: 段瑞飞; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu QA; Wei TB; Duan RF; Yang JK; Huo ZQ; Lu TC; Zeng YP; Hu, QA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. [email protected]
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡强; 魏同波; 段瑞飞; 羊建坤; 霍自强; 卢铁城; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ji Xiaoli; Yang Fuhua; Wang Junxi; Duan Ruifei; Ding Kai; Zeng Yiping; Wang Guohong; Li Jinmin
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| 一种垂直结构氮化物LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-30, 公开日期: 4008
发明人: 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 一种氮化物材料的外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人: 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 一种氮化物材料外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu Q; Wei TB; Duan RF; Yang JK; Huo ZQ; Lu TC; Zeng YP; Hu Q Sichuan Univ Minist Educ Dept Phys Chengdu 610064 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]; [email protected]
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei TB; Hu Q; Duan RF; Wang JX; Zeng YP; Li JM; Yang Y; Liu YL; Wei TB Chinese Acad Sci Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
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