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中国科学院半导体研究所机构知识库
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hu, Qiang
;
Wei, Tongbo
;
Duan, Ruifei
;
Yang, Jiankun
;
Huo, Ziqiang
;
Zeng, Yiping
;
Xu, Shu
;
Hu, Q.(
[email protected]
)
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提交时间:2012/06/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, Yu
;
Wang, Guowei
;
Tang, Bao
;
Xu, Yingqiang
;
Xu, Yun
;
Song, Guofeng
;
Xu, Y.(
[email protected]
)
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提交时间:2012/06/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cui LJ (Cui L. J.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Wang BQ (Wang B. Q.)
;
Zhu ZP (Zhu Z. P.)
;
Cui, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail:
[email protected]
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu JQ
;
Liu FQ
;
Lu XZ
;
Guo Y
;
Wang ZG
;
Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail:
[email protected]
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提交时间:2010/04/11
Study of infrared luminescence from Er-implanted GaN films
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Chen WD
;
Song SF
;
Zhu JJ
;
Wang XL
;
Chen CY
;
Hsu CC
;
Chen WD Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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浏览/下载:1446/325
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提交时间:2010/11/15
Doping
Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Molecular Beam Epitaxy
Gallium Compounds
Semiconducting Gallium Compounds
Erbium
High-quality GaN grown by gas-source MBE
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Wang JX
;
Sun DZ
;
Wang XL
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hou X
;
Lin LY
;
Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1895/464
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提交时间:2010/11/15
Characterization
Molecular Beam Epitaxy
Gallium Compounds
Nitrides
Piezoelectric Materials
Semiconducting Gallium Compounds
Molecular-beam Epitaxy
Heterostructures
Sapphire
Diodes
Current-induced migration of surface adatoms during GaN growth by molecular beam epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Zheng LX
;
Xie MH
;
Xu SJ
;
Cheung SH
;
Tong SY
;
Xie MH Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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浏览/下载:1381/243
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提交时间:2010/11/15
Surface Processes
Molecular Beam Epitaxy
Nitrides
Semiconducting Gallium Compounds
Gan(0001) Surfaces
Reconstructions
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang JX
;
Sun DZ
;
Wang XL
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hou X
;
Lin LY
;
Wang JX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:956/276
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zheng LX
;
Xie MH
;
Xu SJ
;
Cheung SH
;
Tong SY
;
Xie MH,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
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浏览/下载:967/314
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提交时间:2010/08/12