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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail:
[email protected]
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao L (Zhao Lei)
;
Chen YH (Chen Yong-hai)
;
Zuo YH (Zuo Yu-hua)
;
Wang HN (Wang Hai-ning)
;
Shi WH (Shi Wen-hua)
;
Zhao, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen YH
;
Jin P
;
Ye XL
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Yang Z
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail:
[email protected]
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提交时间:2010/04/11
Detection of indium segregation effects in InGaAs/GaAs quantum wells using reflectance-difference spectrometry
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:
Ye XL
;
Chen YH
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Reflectance-difference Spectroscopy
Indium Segregation
Ingaas/gaas Quantum Wells
Epitaxy-grown Ingaas/gaas
Surface Segregation
Interface
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ye XL
;
Chen YH
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Chen YH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang Z
;
Sou IK
;
Chen YH
;
Yang Z,Hong Kong Univ Sci & Technol,Adv Mat Res Inst,Clearwater Bay,Kowloon,Hong Kong,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
Anisotropic strain in (100) ZnSe epilayers grown on lattice mismatched substrates
会议论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 18 (4), SALT LAKE CITY, UTAH, JAN 16-20, 2000
作者:
Yang Z
;
Sou IK
;
Chen YH
;
Yang Z Hong Kong Univ Sci & Technol Adv Mat Res Inst Clearwater Bay Kowloon Hong Kong Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Reflectance Difference Spectroscopy
Znse/gaas Interface
States
Gaas
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen YH
;
Yang Z
;
Bo XU
;
Wang ZG
;
Liang JB
;
Chen YH,Hong Kong Univ Sci & Technol,Dept Phys,Clear Water Bay,Kowloon,Hong Kong.
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提交时间:2010/08/12