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P型GaN材料生长及性能表征 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  liushuangtao
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Mocvd  P-gan  退火  Mg受主激活  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng QW;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Yin HB;  Chen H;  Lin DF;  Jiang LJ;  Feng C;  Li JM;  Wang ZG;  Hou X;  Deng, QW (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xing HY;  Fan GH;  Zhang Y;  Zhao DG;  Fan GH S China Normal Univ Inst Optoelect Mat & Technol Guangzhou 510631 Guangdong Peoples R China. E-mail Address: [email protected];  [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Liu, ZS;  Zhang, SM;  Liang, JW;  Yang, H;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optelect, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ran JX;  Wang XL;  Hu GX;  Wang JX;  Li JP;  Wang CM;  Zeng YP;  Li JM;  Ran, JX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: [email protected]
Adobe PDF(150Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1984/710  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Zhang SM;  Liang JW;  Li X;  Li XY;  Gong HM;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Z;  Lu DC;  Liu XL;  Wang XH;  Han PD;  Wang D;  Yuan HR;  Wang ZG;  Li GH;  Fang ZL;  Chen Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Effects of residual C and O impurities on photoluminescence in undoped GaN epilayers 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:  Kang JY;  Shen YW;  Wang ZG;  Kang JY Xiamen Univ Dept Phys Xiamen 361005 Peoples R China.
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Defects  Gan  Photoluminescence  Electronic Structures  Yellow Luminescence  Epitaxial-films  Mg  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng XH;  Wang Q;  Zhou ML;  Li CG;  Zheng XH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kang JY;  Shen YW;  Wang ZG;  Kang JY,Xiamen Univ,Dept Phys,Xiamen 361005,Peoples R China.
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