中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
氮化铝MEMS谐振器关键技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  杨健
Adobe PDF(3486Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1131/55  |  提交时间：2015/06/02
氮化铝  Mems  谐振器  有限单元法  压电系数测试  Icp刻蚀  
Plasma induced damage in GaN-based light emitting diodes - art. no. 68410X 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Li, Y;  Yi, XY;  Wang, XD;  Guo, JX;  Wang, LC;  Wang, GH;  Yang, FH;  Zeng, YP;  Li, JM;  Li, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(701Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：4472/1521  |  提交时间：2010/03/09
Gan  Led  Plasma  Damage  Etch  Icp  Pecvd