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4H-SiC快速外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  刘斌
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4h-sic  碳化硅  快速外延生长  Fast Epitaxial Growth  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, Jun;  Bai, Yiming;  Liu, Yuanyuan;  He, Weili;  Xiong, Cong;  Wang, Cuiluan;  Feng, Xiaoming;  Zhong, Li;  Liu, Suping;  Ma, Xiaoyu;  Wang, J.([email protected])
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  He JF;  Niu ZC;  Chang XY;  Ni HQ;  Zhu Y;  Li MF;  Shang XJ;  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, Yingqiang;  Tang, Bao;  Wang, Guowei;  Ren, Zhengwei;  Niu, Zhichuan;  Xu, Y.([email protected])
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, Yan;  Ni, Hai-qiao;  Wang, Hai-li;  He, Ji-fang;  Li, Mi-feng;  Shang, Xiang-jun;  Niu, Zhi-chuan;  Zhu, Y.([email protected])
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ning JQ;  Xu SJ;  Ruan XZ;  Ji Y;  Zheng HZ;  Sheng WD;  Liu HC;  Ning, JQ (reprint author), Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China, [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZG;  Wang SJ;  Zhang CL;  Li JB;  Wang, ZG, Univ Elect Sci & Technol China. , Dept Appl Phys, Chengdu 610054, Peoples R China. [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin, L;  Zhou, HY;  Qu, SC;  Wang, ZG;  Jin, L (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912,A 35,Tsinghua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China,[email protected];  [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang W;  Su SJ;  Zheng J;  Zhang GZ;  Xue CL;  Zuo YH;  Cheng BW;  Wang QM;  Cheng, BW, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fasoli A;  Colli A;  Martelli F;  Pisana S;  Tan PH;  Ferrari AC;  Ferrari, AC, Univ Cambridge, Dept Engn, Cambridge CB3 0FA, [email protected]
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