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Plasma induced damage in GaN-based light emitting diodes - art. no. 68410X 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Li, Y;  Yi, XY;  Wang, XD;  Guo, JX;  Wang, LC;  Wang, GH;  Yang, FH;  Zeng, YP;  Li, JM;  Li, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gan  Led  Plasma  Damage  Etch  Icp  Pecvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou XL;  Zhao YW;  Sun NF;  Yang GY;  Xu YQ;  Sun TN;  Zhou, XL, Hebei Semicond Res Inst, POB 17940,Shijiazhuang, Hebei 050051, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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