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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao HS;  Chang AM;  Wang YL;  Chang AM Chinese Acad Sci Xinjiang Tech Inst Phys & Chem Urumqi 830011 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li SS (Li Shu-Shen);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Li, SS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: [email protected]
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Effects of residual C and O impurities on photoluminescence in undoped GaN epilayers 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:  Kang JY;  Shen YW;  Wang ZG;  Kang JY Xiamen Univ Dept Phys Xiamen 361005 Peoples R China.
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Defects  Gan  Photoluminescence  Electronic Structures  Yellow Luminescence  Epitaxial-films  Mg  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang YC;  Wang ZG;  Xu B;  Liu FQ;  Chen YH;  Dowd P;  Zhang YC,Nanyang Technol Univ,Sch Elect & Elect Engn,Photon Lab 1,Nanyang Ave,Singapore 639798,Singapore.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kang JY;  Shen YW;  Wang ZG;  Kang JY,Xiamen Univ,Dept Phys,Xiamen 361005,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li HX;  Wang ZG;  Liang JB;  Xu B;  Jiang C;  Gong Q;  Liu FQ;  Zhou W;  Li HX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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