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中国科学院半导体研究所机构知识库
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期刊论文
作者:
Huang, Yongguang
;
Liu, Shibing
;
Zhu, Hongliang
;
Huang, Y.(
[email protected]
)
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提交时间:2012/06/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang, Yu
;
Liu, Bo
;
Zhang, Jian-Kun
;
Chen, Xiong-Bin
;
Chen, Hong-Da
;
Yang, Y.(
[email protected]
)
Adobe PDF(1848Kb)
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浏览/下载:786/211
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提交时间:2012/06/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang, Jiaqi
;
Wang, Xinwei
;
Shi, Xiaoguang
;
Zhou, Yan
;
Yang, J.
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浏览/下载:1109/482
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提交时间:2012/06/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Guo LC (Guo Lunchun)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang BZ (Wang Baozhu)
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fan WJ
;
Abiyasa AP
;
Tan ST
;
Yu SF
;
Sun XW
;
Xia JB
;
Yeo YC
;
Li MF
;
Chong TC
;
Fan, WJ, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. E-mail:
[email protected]
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提交时间:2010/04/11
Electronic structures of wurtzite ZnO and ZnO/MgZnO quantum well
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Singapore, SINGAPORE, JUL 03-08, 2005
作者:
Fan WJ
;
Abiyasa AP
;
Tan ST
;
Yu SF
;
Sun XW
;
Xia JB
;
Yeo YC
;
Li MF
;
Chong TC
;
Fan, WJ, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/29
Computer Simulation
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth
会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Zhang ZC
;
Ren BY
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Wang ZG
;
Zhang ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1508/254
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提交时间:2010/11/15
Czochralski Method
Growth From Melt
Semiconductor Silicon
Argon Gas Flow
Computer Simulation
Oxygen Content
Furnace Pressure
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang ZC
;
Ren BY
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Wang ZG
;
Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:830/203
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hu ZH
;
Liao XB
;
Zeng XB
;
Xu YY
;
Zhang SB
;
Diao HW
;
Kong GL
;
Hu ZH,Chinese Acad Sci,State Lab Surface Phys,Inst Semiconductor,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1029/327
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yuan HR
;
Chen Z
;
Lu DC
;
Liu XL
;
Han PD
;
Wang XH
;
Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12