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| InGaN量子阱及薄膜材料特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 刘炜
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Ingan 量子阱 薄膜 极化效应 局域态 本底载流子浓度 |
| 中红外GaSb基窄线宽激光器制备的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 罗皓
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锑化镓 量子阱 单模激光器 Dbr光栅 纳米压印 |
| 反转型InAs/GaSb量子阱结构电子迁移率及异质结红外光电晶体管研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 黄文军
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Inas/gasb二类超晶格 反转型量子阱结构 电子迁移率 异质结光电晶体管 双色 |
| 大功率AlGaInP/GaInP半导体激光器非吸收窗口的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 田伟男
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大功率半导体激光器 Algainp材料 量子阱混杂 非吸收窗口 |
| 铁磁/n型GaAs量子阱界面增强的铁磁近邻极化及其自旋动力学 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 纪晓晨
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铁磁近邻效应 Rashba效应 铁磁/n型gaas量子阱结 自旋电子学 磁光克尔效应 |
| InGaN/GaN多量子阱太阳能电池研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: [email protected]
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Ingan/gan 多量子阱 太阳能电池 光电转换效率 |
| InP基近中红外激光器的理论模拟和MOCVD材料生长 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 李健
Adobe PDF(6404Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1383/101 | 提交时间：2017/06/02
Inp基量子阱激光器 量子级联激光器 异变材料生长 |
| 中红外波段GaSb基激光器的材料生长与器件制备 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2017
作者: 柴小力
Adobe PDF(3171Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1780/67 | 提交时间：2017/05/31
窄带隙半导体 锑化镓量子阱 中红外激光器 分子束外延 Dbr光栅 |
| 图形化硅衬底氮化物外延及半极性发光器件 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 张璐
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Si Gan 湿法腐蚀 Mocvd 半极性面 多量子阱 正装结构led |
| 稀N稀Bi合金的电子结构与二维拓扑绝缘体输运 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 宋志刚
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半导体 稀n稀bi 量子点 光学增益 拓扑绝缘体 无序 陈数 边缘态 拓扑相变 量子阱 Lowding微扰 |
