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Si基InAsSb纳米线MOCVD生长及机理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  杜文娜
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Inassb纳米线  生长机制  平面纳米线  纳米线阵列  金属有机化学气相沉积  
Si(100)衬底外延氮化物及其3D发光器件 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  王克超
Microsoft Word(21940Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:900/42  |  提交时间:2016/05/30
  氮化镓  外延  单芯片  白光led  湿法腐蚀  多量子阱  Mocvd  纳米线阵列  半极性面  
无权访问的条目 学位论文
作者:  王小耶
Adobe PDF(7460Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:470/24  |  提交时间:2015/05/27