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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, HL;  Zhou, XL;  Yu, HY;  Mi, JP;  Wang, JQ;  Bian, J;  Ding, Y;  Chen, WX;  Wang, W;  Pan, JQ
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zeng, C;  Zhang, SM;  Liu, JP;  Li, DY;  Jiang, DS;  Feng, MX;  Li, ZC;  Zhou, K;  Wang, F;  Wang, HB;  Wang, H;  Yang, H
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou HY;  Qu SC;  Jin P;  Xu B;  Ye XL;  Liu JP;  Wang ZG;  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. [email protected]
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Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 572-575, Beijing, PEOPLES R CHINA, AUG 08-13, 2010
作者:  阎Zhou HY (Zhou Huiying);  Qu SC (Qu Shengchun);  Jin P (Jin Peng);  Xu B (Xu Bo);  Ye XL (Ye Xiaoling);  Liu JP (Liu Junpeng);  Wang ZG (Wang Zhanguo)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui M;  Zhou TF;  Wang MR;  Huang J;  Huang HJ;  Zhang JP;  Xu K;  Yang H;  Cui, M (reprint author), Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215123, Peoples R China, [email protected];  [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou HY (Zhou Huiying);  Qu SC (Qu Shengchun);  Liao SZ (Liao Shuzhi);  Zhang FS (Zhang Fasheng);  Liu JP (Liu Junpeng);  Wang ZG (Wang Zhanguo)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu P;  He Y;  Zhou JP;  Mu CH;  Zhang HW;  Liu P Shaanxi Normal Univ Sch Phys & Informat Technol Xian 710062 Peoples R China. E-mail Address: [email protected];  [email protected];  [email protected]
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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
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在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  ;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou JP;  Shi Z;  He HC;  Nan CW;  Nan CW Tsinghua Univ Dept Mat Sci & Engn Beijing 100084 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
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