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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Liu T (Liu, Tong)
;
Dong ZY (Dong, Zhiyuan)
;
Zhao YW (Zhao, Youwen)
;
Wang J (Wang, Jun)
;
Chen T (Chen, Teng)
;
Xie H (Xie, Hui)
;
Li J (Li, Jian)
;
Ni HJ (Ni, Haijiang)
;
Huo DX (Huo, Dianxin)
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浏览/下载:1158/581
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提交时间:2013/03/27
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao, SS
;
Yu, G
;
He, XL
;
Hu, YW
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浏览/下载:1305/370
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提交时间:2013/02/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu, GP
;
Wu, J
;
Lu, YW
;
Zhao, GJ
;
Gu, CY
;
Liu, CB
;
Sang, L
;
Yang, SY
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
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浏览/下载:1012/319
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提交时间:2013/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu, T
;
Dong, ZY
;
Zhao, YW
;
Wang, J
;
Chen, T
;
Xie, H
;
Li, J
;
Ni, HJ
;
Huo, DX
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浏览/下载:1152/530
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提交时间:2013/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li H
;
Zhou K
;
Pang JB
;
Shao YD
;
Wang Z
;
Zhao YW
;
Li, H, Wuhan Univ, Dept Phys, Wuhan 430072, Peoples R China.
[email protected]
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浏览/下载:1926/454
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提交时间:2011/07/05
Donor defect in P-diffused bulk ZnO single crystal
会议论文
, Rio de Janeiro, BRAZIL, 2009
作者:
Zhao YW (Zhao Youwen)
;
Zhang R (Zhang Rui)
;
Zhang F (Zhang Fan)
;
Dong ZY (Dong Zhiyuan)
;
Yang J (Yang Jun)
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
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浏览/下载:2488/471
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提交时间:2010/10/11
Zinc Oxide
Doping
Defect
生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12
发明人:
占 荣
;
惠 峰
;
赵有文
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
陈燕
;
邓爱红
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赵有文
;
张英杰
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余鑫祥
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喻菁
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龙娟娟
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周宇璐
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张丽然
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提交时间:2011/08/16
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期刊论文
作者:
胡炜杰
;
赵有文
;
段满龙
;
王应利
;
王俊
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提交时间:2011/08/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu B
;
Lu YW
;
Jin GR
;
Zhao Y
;
Wang XL
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Lu, YW, Beijing Jiaotong Univ, Dept Phys, Beijing 100044, Peoples R China.
[email protected]
;
[email protected]
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提交时间:2011/07/05