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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li MC;  Qiu YX;  Liu GJ;  Wang YT;  Zhang BS;  Zhao LC;  Li MC Harbin Inst Technol Sch Mat Sci & Engn POB 405 Harbin 150001 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
Adobe PDF(212Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1177/419  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qiu, YX;  Li, MC;  Wang, YT;  Zhang, BS;  Wang, Y;  Liu, GJ;  Zhao, LC;  Qiu, YX, Harbin Inst Technol, Sch Mat Sci & Engn, Harbin 150001, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer 会议论文
MICRON, 35 (6), Wuhan, PEOPLES R CHINA, OCT 17-21, 2003
作者:  Luo XH;  Wang RM;  Zhang XP;  Zhang HZ;  Yu DP;  Luo MC;  Wang RM Peking Univ Electron Microscopy Lab Beijing 100871 Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
Adobe PDF(419Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1563/365  |  提交时间：2010/10/29
Transmission Electron Microscopy  Electron Energy Loss Spectroscopy  Molecular Beam Epitaxy  Gallium Nitride  Chemical-vapor-deposition  Epitaxy  Layer  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo, XH;  Wang, RM;  Zhang, XP;  Zhang, HZ;  Yu, DP;  Luo, MC;  Wang, RM, Peking Univ, Electron Microscopy Lab, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
Adobe PDF(419Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1123/333  |  提交时间：2010/03/09
Microstructure of the silicon film prepared near the phase transition regime from amorphous to nanocrystalline 会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:  Zhang SB;  Liao XB;  Xu YY;  Hu ZH;  Zeng XB;  Diao HW;  Luo MC;  Kong G;  Zhang SB Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Condensed State Phys State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
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Polymorphous Silicon  Light-scattering  Thin-films  Si  Microcrystallinity  Absorption  States  
Epitaxial growth of SiC on complex substrates 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Sun GS;  Li JM;  Luo MC;  Zhu SR;  Wang L;  Zhang FF;  Lin LY;  Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Optical Microscopy  X-ray Diffraction  Molecular Beam Epitaxy  Semiconducting Silicon Compounds  Sapphire  Deposition  Films  
Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (0001) 6H-SiC 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Li JM;  Sun GS;  Zhu SR;  Wang L;  Luo MC;  Zhang FF;  Lin LY;  Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(113Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1418/247  |  提交时间：2010/11/15
X-ray Diffraction  Molecular Beam Epitaxy  Semiconducting Silicon Compounds  Low-temperature Growth  Films  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun GS;  Li JM;  Luo MC;  Zhu SR;  Wang L;  Zhang FF;  Lin LY;  Sun GS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(196Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：863/266  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li JM;  Sun GS;  Zhu SR;  Wang L;  Luo MC;  Zhang FF;  Lin LY;  Sun GS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(113Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：911/252  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han XF;  Zhang MC;  Qiao Y;  Yang FM;  Yang CP;  Liu GC;  Wang YZ;  Hu BP;  Han XF,Tohoku Univ,Grad Sch Engn,Dept Appl Phys,Aoba Ku,Sendai,Miyagi 9808579,Japan.
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