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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [9]
作者
张新惠 [1]
陈林 [1]
文献类型
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2009 [1]
2005 [4]
2004 [4]
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期刊论文
作者:
Lu J
;
Xu PF
;
Zhu YG
;
Meng HJ
;
Chen L
;
Wang WZ
;
Zhang XH
;
Zhao JH
;
Pan GQ
;
Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address:
[email protected]
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提交时间:2010/04/04
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zheng ZS
;
Liu ZL
;
Zhang GQ
;
Li N
;
Fan K
;
Zhang EX
;
Yi WB
;
Chen M
;
Wang X
;
Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zheng ZS
;
Liu ZL
;
Zhang GQ
;
Li N
;
Li GH
;
Ma HZ
;
Zhang EX
;
Zhang ZX
;
Wang X
;
Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/17
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期刊论文
作者:
Zheng ZS
;
Liu ZL
;
Zhang GQ
;
Li N
;
Fan K
;
Zhang EX
;
Yi WB
;
Chen M
;
Wang X
;
Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
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提交时间:2010/03/17
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期刊论文
作者:
Zheng ZS
;
Liu ZL
;
Zhang GQ
;
Li N
;
Fan K
;
Zhang EX
;
Yi WB
;
Chen M
;
Wang X
;
Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang GQ
;
Qi G
;
Erkin
;
Wu L
;
Ren DY
;
Zhang, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/09
Effect of the implantation of fluorine on the mobility of channel electron for partially depleted SOI nMOSFET
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Zheng, ZS
;
Liu, ZL
;
Zhang, GQ
;
Li, N
;
Fan, K
;
Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Radiation response of partially-depleted MOS transistors fabricated in the fluorinated SIMOX wafers
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Li, N
;
Zhang, GQ
;
Liu, ZL
;
Fan, K
;
Zheng, ZS
;
Lin, Q
;
Zhang, ZX
;
Lin, CL
;
Li, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Simox
Fluorine
Ionizing Radiation
Influence of fluorine on radiation-induced charge trapping in the SIMOX buried oxides
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Zhang, GQ
;
Liu, ZL
;
Li, N
;
Zhen, ZS
;
Liu, GH
;
Lin, Q
;
Zhang, ZX
;
Lin, CL
;
Zhang, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Fluorine
Simox
Charge Trapping
Radiation
Sio2