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HfO2铁电层和硅纳米线的缺陷性质研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2024
作者:  张才鑫
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Geng, C;  Yan, QF;  Du, CX;  Dong, P;  Zhang, LJ;  Wei, TB;  Hao, ZB;  Wang, XQ;  Shen, DH
Adobe PDF(6346Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：684/217  |  提交时间：2015/03/25
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, CX;  Liu, L;  Yin, HJ;  Fang, H;  Zhao, YM;  Bi, CJ;  Xu, HJ
Adobe PDF(1480Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：429/42  |  提交时间：2015/03/25
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, CX;  Xu, XS
Adobe PDF(2022Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：546/184  |  提交时间：2013/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, CX;  Xu, XS
Adobe PDF(270Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：669/218  |  提交时间：2013/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma, HL;  Wang, XF;  Zhang, JY;  Wang, XD;  Hu, CX;  Yang, X;  Fu, YC;  Chen, XG;  Song, ZT;  Feng, SL;  Ji, A;  Yang, FH;  Yang, FH (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China,[email protected]
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在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  张春玲;  崔草香;  徐波;  金鹏;  刘峰奇;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杜伟;  许兴胜;  韩伟华;  王春霞;  张杨;  杨富华;  陈弘达
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang CL;  Wang ZG;  Chen YH;  Cui CX;  Xu B;  Jin P;  Li RY;  Zhang, CL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi, GX;  Xu, B;  Jin, P;  Ye, XL;  Cui, CX;  Zhang, CL;  Wu, J;  Wang, ZG;  Shi, GX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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