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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, W;  Li, GX;  Zhang, BL;  Chou, PC;  Liu, SP;  Ma, XY
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ye, HQ;  Hu, CC;  Wang, G;  Zhao, HM;  Tian, HT;  Zhang, XW;  Wang, WX;  Liu, BL;  Liu, BL (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, POB 603, Beijing 100190, Peoples R China,[email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shang JZ;  Zhang BP;  Mao MH;  Cai LE;  Zhang JY;  Fang ZL;  Liu BL;  Yu JZ;  Wang QM;  Kusakabe K;  Ohkawa K;  Zhang BP Xiamen Univ Dept Phys Xiamen 361005 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
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Growth behavior of AlInGaN films 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Sendai, JAPAN, MAY 21-24, 2008
作者:  Shang JZ;  Zhang BP;  Mao MH;  Cai LE;  Zhang JY;  Fang ZL;  Liu BL;  Yu JZ;  Wang QM;  Kusakabe K;  Ohkawa K;  Zhang, BP, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China.
Adobe PDF(813Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2444/416  |  提交时间：2010/03/09
Scanning Electron Microscope  
宽禁带半导体异质结能带不连续值的测定以及低维结构散射机制的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  张宝利
Adobe PDF(2465Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1453/24  |  提交时间：2009/04/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BL;  Cai FF;  Sun GS;  Fan HB;  Zhang PF;  Wei HY;  Liu XL;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Zhang, BL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected];  [email protected]
Adobe PDF(248Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1309/412  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BL;  Sun GS;  Guo Y;  Zhang PF;  Zhang RQ;  Fan HB;  Liu XL;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Zhang BL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: [email protected];  [email protected];  [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YM (Zhao Yongmei);  Zhang BL (Zhang Binglin);  Yao N (Yao Ning);  Sun GS (Sun Guosheng);  Li JM (Li Jinmin);  Zhang, BL, Zhengzhou Univ, Dept Phys, Key Lab Mat Phys, Minist Educ China, Zhengzhou 450052, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang MH;  Guo LW;  Li HW;  Li W;  Huang Q;  Bao CL;  Zhou JM;  Liu BL;  Xu ZY;  Zhang YH;  Lu LW;  Zhang MH,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Ctr Condensed Matter Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人:  冯向旭;  张宁;  刘乃鑫;  付丙磊;  朱绍歆;  张连;  魏同波;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(231Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1347/133  |  提交时间：2014/11/17