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中国科学院半导体研究所机构知识库
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Yang, YJ
;
Zeng, YP
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提交时间:2015/04/02
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期刊论文
作者:
Yang, YJ
;
Zeng, YP
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提交时间:2015/03/25
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期刊论文
作者:
Yang, YJ
;
Ma, P
;
Wei, XC
;
Zeng, YP
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提交时间:2015/03/25
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期刊论文
作者:
Yang, YJ
;
Zeng, YP
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提交时间:2015/03/25
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期刊论文
作者:
Yang, YJ
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Zeng, YP
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提交时间:2015/04/02
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期刊论文
作者:
Liu, SB
;
He, Z
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Zheng, L
;
Liu, B
;
Zhang, F
;
Dong, L
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Tian, LX
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Shen, ZW
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Wang, JZ
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Huang, YJ
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Fan, ZC
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Liu, XF
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Yan, GG
;
Zhao, WS
;
Wang, L
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Sun, GS
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Yang, FH
;
Zeng, YP
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提交时间:2015/03/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang YJ
;
Chang BK
;
Yang Z
;
Niu J
;
Xiong YJ
;
Shi F
;
Guo H
;
Zeng YP
;
Chang BK Nanjing Univ Sci & Technol Inst Elect Engn & Optoelect Nanjing 210094 Peoples R China. E-mail Address:
[email protected]
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Quan, YJ
;
Han, PD
;
Ran, QJ
;
Zeng, FP
;
Gao, LP
;
Zhao, CH
;
Quan, YJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu, XD
;
Han, PD
;
Quan, YJ
;
Ran, QJ
;
Gao, LP
;
Zeng, FP
;
Zhao, CH
;
Yu, JZ
;
Lu, XD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/08
Optical and electrical investigation of low dimensional self-assembled InAs quantum dot field effect transistors
会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:
Zeng, YX (Zeng, Yuxin)
;
Liu, W (Liu, Wei)
;
Yang, FH (Yang, Fuhua)
;
Xu, P (Xu, Ping)
;
Tan, PH (Tan, Pingheng)
;
Zheng, HZ (Zheng, Houzhi)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Xing, YJ (Xing, Yingjie)
;
Yu, DP (Yu, Dapeng)
;
Zeng, YX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Inas Quantum Dot
Photoluminescence
Modulation-doped
Field Effect Transistor
Mu-m
Capping Layer