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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fang, Jing-Zhi;   Wang, Shuo;   Ye, Xing-Guo;   Lin, Ben-Chuan;   Wang, An-Qi;   Cui, Hao-Nan;   Wang, Jian-Kun;   Zhu, Guang-Yu;   Liu, Song;   Li, Yongkai;   Wang, Zhiwei;   Yao, Yugui;   Wei, Zhongming;   Yu, Dapeng;   Liao, Zhi-Min
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  FUSHENG DENG;  YUNMEI LI;  YONG SUN;  XIAO WANG;  ZHIWEI GUO;  YUNLONG SHI;  HAITAO JIANG;  KAI CHANG;  HONG CHEN
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song YF (Song Yafeng);  Lu YW (Lu Yanwu);  Zhang BA (Zhang Biao);  Xu XQ (Xu Xiaoqing);  Wang J (Wang Jun);  Guo Y (Guo Yan);  Shi K (Shi Kai);  Li ZW (Li Zhiwei);  Liu XL (Liu Xianglin);  Yang SY (Yang Shaoyan);  Zhu QS (Zhu Qinsheng);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Song, YF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张瑞英;  董杰;  周帆;  李国华;  边静;  冯志伟;  王圩
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利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  时凯;  刘祥林;  魏鸿源;  焦春美;  王俊;  李志伟;  宋亚峰;  杨少延;  朱勤生;  王占国
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一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:  王建霞;  李志伟;  赵桂娟;  桑玲;  刘长波;  魏鸿源;  焦春美;  杨少延;  刘祥林;  朱勤生;  王占国
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一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  赵桂娟;  李志伟;  桑玲;  刘贵鹏;  刘长波;  谷承艳;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  赵桂娟;  李志伟;  桑玲;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  姚丹阳;  张锦川;  周予虹;  贾志伟;  闫方亮;  王利军;  刘俊岐;  刘峰奇;  王占国
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