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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li WL;  Jia R;  Chen C;  Li HF;  Liu XY;  Yue HH;  Ding WC;  Ye TC;  Kasai S;  Hashizume T;  Wu NJ;  Xu BS;  Jia, R, Chinese Acad Sci, Microwave Devices & Integrated Circuits Dept, Inst Microelect, Beijing 100029, Peoples R China. [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen C (Chen Chen);  Jia R (Jia Rui);  Li WL (Li Weilong);  Li HF (Li Haofeng);  Ye TC (Ye Tianchun);  Liu XY (Liu Xinyu);  Liu M (Liu Ming);  Kasai S (Kasai Seiya);  Tamotsu H (Tamotsu Hashizume);  Wu NJ (Wu Nanjian);  Jia, R, Chinese Acad Sci, Inst Microelect, Beijing 100029, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YF;  Lin F;  Xu B;  Liu FQ;  Ye WL;  Ding D;  Wang ZG;  Li YF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081987.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘王来;  叶小玲;  徐波;  王占国
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