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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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半导体超晶格国家重点... [1]
作者
李志聪 [3]
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Wei Guo-Shuai
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Hao Rui-Ting
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Guo Jie
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Ma Xiao-Le
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Li Xiao-Ming
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Li Yong
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Chang Fa-Ran
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Zhuang Yu
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Wang Guo-Wei
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Xu Ying-Qiang
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Niu Zhi-Chuan
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Wang Yao
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提交时间:2022/05/19
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期刊论文
作者:
Xing Wei
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Ran Yao
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Ziqiang Jiang
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Tingting Guo
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Fengni He
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Wei Wang
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Zifeng Xie
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Li Duan
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提交时间:2019/11/15
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期刊论文
作者:
Duan, Li
;
Wang, Pei
;
Wei, Feng
;
Zhang, Wenxue
;
Yao, Ran
;
Xia, Huiyun
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提交时间:2015/03/16
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期刊论文
作者:
Liang, Meng
;
Wang, Guohong
;
Li, Hongjian
;
Li, Zhicong
;
Yao, Ran
;
Wang, Bing
;
Li, Panpan
;
Li, Jing
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Yi, Xiaoyan
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Wang, Junxi
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Li, Jinmin
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提交时间:2013/05/07
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期刊论文
作者:
王兵
;
李志聪
;
姚然
;
梁萌
;
闫发旺
;
王国宏
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提交时间:2011/08/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li, Zhicong
;
Li, Panpan
;
Wang, Bing
;
Li, Hongjian
;
Liang, Meng
;
Yao, Ran
;
Li, Jing
;
Deng, Yuanming
;
Yi, Xiaoyan
;
Wang, Guohong
;
Li, Jinmin
;
Li, Z.(
[email protected]
)
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提交时间:2012/06/14
一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
李志聪
;
姚然
;
王兵
;
梁萌
;
李璟
;
王国宏
;
李晋闽
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提交时间:2012/09/09
一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
王兵
;
李志聪
;
王国宏
;
闫发旺
;
姚然
;
王军喜
;
李晋闽
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提交时间:2011/08/31
一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
李志聪
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姚然
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王兵
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梁萌
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李盼盼
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李璟
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王国宏
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李晋闽
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提交时间:2012/09/09
芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:
谢海忠
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薛斌
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李璟
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伊晓燕
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王军喜
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李晋闽
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提交时间:2014/11/05