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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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低偏角碳化硅同质/异质外延生长研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者:
闫果果
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提交时间:2016/12/05
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期刊论文
作者:
Liu, SB
;
He, Z
;
Zheng, L
;
Liu, B
;
Zhang, F
;
Dong, L
;
Tian, LX
;
Shen, ZW
;
Wang, JZ
;
Huang, YJ
;
Fan, ZC
;
Liu, XF
;
Yan, GG
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Sun, GS
;
Yang, FH
;
Zeng, YP
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提交时间:2015/03/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Dong, L
;
Sun, GS
;
Zheng, L
;
Liu, XF
;
Zhang, F
;
Yan, GG
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, XG
;
Wang, ZG
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提交时间:2013/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Dong, L
;
Sun, GS
;
Zheng, L
;
Liu, XF
;
Zhang, F
;
Yan, GG
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, XG
;
Wang, ZG
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提交时间:2013/02/07
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期刊论文
作者:
Zhang F (Zhang Feng)
;
Sun GS (Sun Guosheng)
;
Huang HL (Huang Huolin)
;
Wu ZY (Wu Zhengyun)
;
Wang L (Wang Lei)
;
Zhao WS (Zhao Wanshun)
;
Liu XF (Liu Xingfang)
;
Yan GG (Yan Guoguo)
;
Zheng L (Zheng Liu)
;
Dong L (Dong Lin)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
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提交时间:2012/02/22
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期刊论文
作者:
Sun GS
;
Liu XF
;
Wu HL
;
Yan GG
;
Dong L
;
Zheng L
;
Zhao WS
;
Wang L
;
Zeng YP
;
Li XG
;
Wang ZG
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
[email protected]
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun GS (Sun Guo-Sheng)
;
Liu XF (Liu Xing-Fang)
;
Wang L (Wang Lei)
;
Zhao WS (Zhao Wan-Shun)
;
Yang T (Yang Ting)
;
Wu HL (Wu Hai-Lei)
;
Yan GG (Yan Guo-Guo)
;
Zhao YM (Zhao Yong-Mei)
;
Ning J (Ning Jin)
;
Zeng YP (Zeng Yi-Ping)
;
Li JM (Li Jin-Min)
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提交时间:2010/09/07
集成傅里叶变换红外原位监测系统的原子层沉积装置
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102492939A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:
张峰
;
孙国胜
;
王雷
;
赵万顺
;
刘兴昉
;
闫果果
;
曾一平
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提交时间:2012/08/29
连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304763A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:
刘兴昉
;
郑柳
;
董林
;
闫果果
;
王雷
;
赵万顺
;
孙国胜
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:2740/485
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提交时间:2012/08/29
HTCVD法碳化硅晶体生长装置
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304698A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:
刘兴昉
;
董林
;
郑柳
;
闫果果
;
王雷
;
赵万顺
;
孙国胜
;
曾一平
;
李晋闽
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提交时间:2012/08/29