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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Hao, Qinfen
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Qin, Mengyuan
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Qi, Nan
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Xue, Haiyun
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Li, Xiaolin
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Hao, Kai
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Niu, Xingmao
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Kurata, Kazuhiko
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提交时间:2022/05/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hu Weixuan,Cheng Buwen,Xue Chunlai,Su Shaojian,Xue Haiyun,Zuo Yuhua,Wang Qiming
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提交时间:2013/06/03
高性能硅基锗光电探测器的研制
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
薛海韵
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浏览/下载:2726/135
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提交时间:2011/06/01
硅基光子学
硅基锗光电探测器
吸收区倍增区分离的雪崩光电二极管
共振腔增强型
波导型
高性能硅基锗光探测器的研制
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
薛海韵
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提交时间:2011/06/03
无权访问的条目
期刊论文
作者:
胡炜玄
;
成步文
;
薛春来
;
薛海韵
;
苏少坚
;
白安琪
;
罗丽萍
;
俞育德
;
王启明
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提交时间:2011/08/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xue CL (Xue Chunlai)
;
Xue HY (Xue Haiyun)
;
Cheng BW (Cheng Buwen)
;
Hu WX (Hu Weixuan)
;
Yu YD (Yu Yude)
;
Wang QM (Wang Qiming)
;
Xue, CL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
成步文
;
薛春来
;
罗丽萍
;
韩根全
;
曾玉刚
;
薛海韵
;
王启明
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提交时间:2010/11/23
GeSn合金的外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:
成步文
;
薛春来
;
左玉华
;
汪巍
;
胡炜玄
;
苏少坚
;
白安琪
;
薛海韵
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提交时间:2011/08/30