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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu, QL; Zhao, CW; Xing, YM; Su, SJ; Cheng, BW
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun GS (Sun Guo-Sheng); Liu XF (Liu Xing-Fang); Wang L (Wang Lei); Zhao WS (Zhao Wan-Shun); Yang T (Yang Ting); Wu HL (Wu Hai-Lei); Yan GG (Yan Guo-Guo); Zhao YM (Zhao Yong-Mei); Ning J (Ning Jin); Zeng YP (Zeng Yi-Ping); Li JM (Li Jin-Min)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhao CW (Zhao C. W.); Xing YM (Xing Y. M.); Yu JZ (Yu J. Z.); Han GQ (Han G. Q.)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhao YM (Zhao Yong-Mei); Sun GS (Sun Guo-Sheng); Li JY (Li Jia-Ye); Liu XF (Liu Xing-Fang); Wang L (Wang Lei); Zhao WS (Zhao Wan-Shun); Li JM (Li Jin-Min); Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu XF (Liu Xing-Fang); Sun GS (Sun Guo-Sheng); Li JM (Li Jin-Min); Zhao YM (Zhao Yong-Mei); Li JY (Li Jia-Ye); Wang L (Wang Lei); Zhao WS (Zhao Wan-Shun); Zeng YP (Zeng Yi-Ping); Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: [email protected]
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| 一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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