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中国科学院半导体研究所机构知识库
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期刊论文
作者:
Wenjun Huang
;
Wenquan Ma
;
Jianliang Huang
;
Yanhua Zhang
;
Yulian Cao
;
Chengcheng Zhao
;
Xiaolu Guo
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提交时间:2018/05/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xiaolu Guo, Wenquan Ma, Jianliang Huang, Yanhua Zhang, Yang Wei, Kai Cui, Yulian Cao and Qiong Li
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提交时间:2014/04/09
分子束外延生长的 InAs/GaSb 二类超晶格材料的电学性质研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:
郭晓璐
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提交时间:2013/06/24
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Guo, Xiaolu
;
Ma, Wenquan
;
Huang, Jianliang
;
Zhang, Yanhua
;
Wei, Yang
;
Cui, Kai
;
Cao, Yulian
;
Li, Qiong
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提交时间:2013/10/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cui, Kai
;
Ma, Wenquan
;
Zhang, Yanhua
;
Huang, Jianliang
;
Wei, Yang
;
Cao, Yulian
;
Guo, Xiaolu
;
Li, Qiong
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提交时间:2013/08/27
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, Yanhua
;
Ma, Wenquan
;
Wei, Yang
;
Cao, Yulian
;
Huang, Jianliang
;
Cui, Kai
;
Guo, Xiaolu
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提交时间:2013/04/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Huang JL (Huang, Jianliang)
;
Ma WQ (Ma, Wenquan)
;
Wei Y (Wei, Yang)
;
Zhang YH (Zhang, Yanhua)
;
Cui K (Cui, Kai)
;
Cao YL (Cao, Yulian)
;
Guo XL (Guo, Xiaolu)
;
Shao J (Shao, Jun)
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提交时间:2013/03/26
一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-07
发明人:
郭晓璐
;
马文全
;
张艳华
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提交时间:2014/11/24