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二维半导体材料的拉曼散射研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  从鑫
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen, X.;   Lin, M-L;   Cong, X.;   Leng, Y-C;   Zhang, X.;   Tan, P-H
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  H.-N. Liu;  X. Cong;  M.-L. Lin;  P.-H. Tan
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding K (Ding, K.);  Zeng YP (Zeng, Y. P.);  Wei XC (Wei, X. C.);  Li ZC (Li, Z. C.);  Wang JX (Wang, J. X.);  Lu HX (Lu, H. X.);  Cong PP (Cong, P. P.);  Yi XY (Yi, X. Y.);  Wang GH (Wang, G. H.);  Li JM (Li, J. M.);  Ding, K, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
Adobe PDF(520Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1401/502  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei, HY (Wei, H. Y.);  Cong, GW (Cong, G. W.);  Zhang, PF (Zhang, P. F.);  Hu, WG (Hu, W. G.);  Wu, JJ (Wu, J. J.);  Jiao, CM (Jiao, C. M.);  Liu, XL (Liu, X. L.);  Zhu, QS (Zhu, Q. S.);  Wang, ZG (Wang, Z. G.);  Wei, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张恩霞;  钱聪;  张正选;  王曦;  张国强;  李宁;  郑中山;  刘忠立
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具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  王进泽;  杨香;  颜伟;  刘胜北;  赵继聪;  何志;  王晓东;  杨富华
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