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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu CM;  Zhang BP;  Shang JZ;  Cai LE;  Zhang JY;  Yu JZ;  Wang QM;  Wu, CM, Xiamen Univ, Dept Phys, Lab Micro Nano Optoelect, Xiamen 361005, Peoples R China.
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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu CM (Wu ChaoMin);  Shang JZ (Shang JingZhi);  Zhang BP (Zhang BaoPing);  Zhang JY (Zhang JiangYong);  Yu JZ (Yu JinZhong);  Wang QM (Wang QiMing);  Zhang, BP, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cai LE;  Zhang BP;  Zhang JY;  Wu CM;  Jiang F;  Hu XL;  Chen M;  Wang QM;  Zhang, BP, Xiamen Univ, Dept Phys, Lab Micro Nano Optoelect, Xiamen 361005, Peoples R China. [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu BP;  Wu DH;  Xiong YH;  Huang SS;  Ni HQ;  Xu YQ;  Niu ZC;  Wu BP Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang HL;  Wu DH;  Wu BP;  Ni HQ;  Huang SS;  Xiong YH;  Wang PF;  Han Q;  Niu ZC;  Tangring I;  Wang SM;  Wang HL Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattice & Microstruct Beijing 10008 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shang JZ;  Zhang BP;  Wu CM;  Cai LE;  Zhang JY;  Yu JZ;  Wang QM;  Zhang, BP, Xiamen Univ, Dept Phys, 422 SiMing Rd S, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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GaAs 基1.55μm 波段InAs 自组织量子分子束外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  吴兵朋
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, BP;  Wu, DH;  Ni, HQ;  Huang, SS;  Zhan, F;  Xiong, YH;  Xu, YQ;  Niu, ZC;  Wu, DH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tangring, I;  Ni, HQ;  Wu, BP;  Wu, DH;  Xiong, YH;  Huang, SS;  Niu, ZC;  Wang, SM;  Lai, ZH;  Larsson, A;  Tangring, I, Chalmers, Dept Microtechnol & Nanosci, S-41296 Gothenburg, Sweden. 电子邮箱地址: [email protected]
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