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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:
王鹏飞
;
吴东海
;
吴兵朋
;
熊永华
;
詹 峰
;
黄社松
;
倪海桥
;
牛智川
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浏览/下载:2057/296
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ma SS (Ma Shan-Shan)
;
Wang, BR (Wang Bao-Rui)
;
Sun BQ (Sun Bao-Quan)
;
Wu DH (Wu Dong-Hai)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
;
Ma, SS, Chinese Acad Sci, SKLSM, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
Adobe PDF(671Kb)
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浏览/下载:905/231
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wu BP
;
Wu DH
;
Xiong YH
;
Huang SS
;
Ni HQ
;
Xu YQ
;
Niu ZC
;
Wu BP Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(300Kb)
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浏览/下载:805/199
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang HL
;
Wu DH
;
Wu BP
;
Ni HQ
;
Huang SS
;
Xiong YH
;
Wang PF
;
Han Q
;
Niu ZC
;
Tangring I
;
Wang SM
;
Wang HL Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattice & Microstruct Beijing 10008 Peoples R China. E-mail Address:
[email protected]
Adobe PDF(403Kb)
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浏览/下载:995/257
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提交时间:2010/03/08
GaAs 基1.55 μm GaInNAs(Sb)、异变InGaAs 量子阱材料与激光器
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:
吴东海
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浏览/下载:1020/40
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提交时间:2009/04/13
砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
牛智川
;
倪海桥
;
韩勤
;
张石勇
;
吴东海
;
赵欢
;
杨晓红
;
彭红玲
;
周志强
;
熊永华
;
吴荣汉
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浏览/下载:1566/248
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wu, BP
;
Wu, DH
;
Ni, HQ
;
Huang, SS
;
Zhan, F
;
Xiong, YH
;
Xu, YQ
;
Niu, ZC
;
Wu, DH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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浏览/下载:872/220
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Tangring, I
;
Ni, HQ
;
Wu, BP
;
Wu, DH
;
Xiong, YH
;
Huang, SS
;
Niu, ZC
;
Wang, SM
;
Lai, ZH
;
Larsson, A
;
Tangring, I, Chalmers, Dept Microtechnol & Nanosci, S-41296 Gothenburg, Sweden. 电子邮箱地址:
[email protected]
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浏览/下载:1126/400
  |  
提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
;
Fang, ZD (Fang, Z. D.)
;
Huang, SS (Huang, S. S.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Wu, DH (Wu, D. H.)
;
Shun, Z (Shun, Z.)
;
Han, Q (Han, Q.)
;
Wu, RH (Wu, R. H.)
;
Ni, HQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/29
1.3微米高密度量子点结构及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
牛智川
;
方志丹
;
倪海桥
;
韩勤
;
龚政
;
张石勇
;
佟存柱
;
彭红玲
;
吴东海
;
赵欢
;
吴荣汉
Adobe PDF(629Kb)
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浏览/下载:1911/227
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提交时间:2009/06/11