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硅基稀土掺杂电致发光器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  成步文;  余金中;  王启明
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制备硅基带边发光以及非线性电光材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  丁武昌;  成步文;  余金中;  王启明
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硅基稀土掺杂发光材料掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  成步文;  余金中;  王启明
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声子调控间接带隙半导体材料横向电注入发光器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  成步文;  余金中;  王启明
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稀土复合离子注入发光材料制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  成步文;  余金中;  王启明
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硅基高效等电子掺杂发光器件及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  成步文;  余金中;  王启明
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用等离子体处理提高硅基晶体薄膜发光的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓欣;  张建国;  王启明
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大面积制备二氧化硅或者硅纳米线的控制生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓欣;  王启明
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低维Si基材料的制备与发光特性 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  王晓欣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XX (Wang Xiaoxin);  Liu JF (Liu Jifeng);  Cheng BW (Cheng Buwen);  Yu JZ (Yu Jinzhong);  Wang QM (Wang Qiming);  Wang, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: [email protected];  [email protected]
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