SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共19条,第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu, FY;  Li, RX;  Huo, NJ;  Yang, JH;  Fan, C;  Wang, XZ;  Yang, SX;  Li, JB
Adobe PDF(479Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:805/269  |  提交时间:2015/05/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiong KL (Xiong Kanglin);  Lu SL (Lu Shulong);  Zhou TF (Zhou Taofei);  Jiang DS (Jiang Desheng);  Wang RX (Wang Rongxin);  Qiu K (Qiu Kai);  Dong JR (Dong Jianrong);  Yang H (Yang Hui);  Yang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, A35 Qing Hua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1264/519  |  提交时间:2010/11/27
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiong KL (Xiong Kanglin);  He W (He Wei);  Lu SL (Lu Shulong);  Zhou TF (Zhou Taofei);  Jiang DS (Jiang Desheng);  Wang RX (Wang Rongxin);  Qiu K (Qiu Kai);  Dong JR (Dong Jianrong);  Yang H (Yang Hui);  Yang, H, CAS, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Ruoshui Rd 398, Suzhou 215125, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
Adobe PDF(517Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1154/425  |  提交时间:2010/08/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiong KL;  Lu SL;  Dong JR;  Zhou TF;  Jiang DS;  Wang RX;  Yang H;  Yang, H, CAS, Suzhou Inst Nano Tech & Nano Bion, Ruoshui Rd 398, Suzhou 215125, Peoples R China.
Adobe PDF(681Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1346/436  |  提交时间:2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  张明兰;  杨瑞霞;  王晓亮;  胡国新;  高志
Adobe PDF(244Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1925/845  |  提交时间:2011/08/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  张明兰;  王晓亮;  杨瑞霞;  胡国新
Adobe PDF(364Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1614/535  |  提交时间:2011/08/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, XD;  Wang, WZ;  Gao, RX;  Zhao, JH;  Wen, JH;  Lin, WZ;  Lai, TS;  Lai, TS, Sun Yat Sen Univ, Dept Phys, State Key Lab Optoelect Mat & Technol, Guangzhou 510275, Guangdong, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
Adobe PDF(194Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:854/236  |  提交时间:2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘晓东;  王玮竹;  高瑞鑫;  赵建华;  文锦辉;  林位株;  赖天树
Adobe PDF(440Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1000/346  |  提交时间:2010/11/23
制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  戴瑞烜;  陈诺夫;  彭长涛;  王鹏
Adobe PDF(499Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1627/192  |  提交时间:2009/06/11
具有布拉格反射器的n+/p型高抗辐照GaAs太阳电池 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  白一鸣;  陈诺夫;  戴瑞烜;  王鹏;  王晓东
Adobe PDF(515Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1347/163  |  提交时间:2009/06/11